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IRF7811W中文资料

IRF7811W图片

IRF7811W外观图

  • 大小：146.99KB
  • 厂家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：Power MOSFET for DC-DC Converters
  • 标准包装：95
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单路
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：12 毫欧 @ 15A, 4.5V
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：14A
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：33nC @ 5V
  • 在 Vds 时的输入电容(Ciss)：2335pF @ 16V
  • 功率 - 最大：3.1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装：8-SO
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRF7811W Q1057779

IRF7811W供应商

更新时间:2023-01-05 12:32:03
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